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Microsemi Corporation APTM100DA33T1G

Name: APTM100DA33T1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM100DA33T1G
Price: 24.61232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (536 reviews)

MFG-Teilenummer: APTM100DA33T1G

verfügbare Anzahl: 20020 Stücke

Referenzpreis: USD 24.61232

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Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: APTM100DA33T1G.pdf

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APTM100DA33T1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	APTM100DA33T1G
Zukünftige Teilenummer	FT-APTM100DA33T1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
APTM100DA33T1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	396 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	305nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7868pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	390W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Supplier Device Package	SP1
Paket / fall	SP1
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100DA33T1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	APTM100DA33T1G-FT

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