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Herstellerteilenummer | AS4C256M8D3-12BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C256M8D3-12BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C256M8D3-12BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 90°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-TFBGA |
Supplier Device Package | 78-FBGA (8x10.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M8D3-12BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C256M8D3-12BCN-FT |
AS4C16M32MS-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MS-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MS-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MS-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D2A-25BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D2A-25BCN
Alliance Memory, Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel