Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / AUIRFN8401TR
Herstellerteilenummer | AUIRFN8401TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AUIRFN8401TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
AUIRFN8401TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 84A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 50µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 4.2W (Ta), 63W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PQFN (5x6) |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFN8401TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AUIRFN8401TR-FT |
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