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Infineon Technologies BSC011N03LSIATMA1

MFG-Teilenummer
BSC011N03LSIATMA1
verfügbare Anzahl
61180 Stücke
Referenzpreis
USD 0.7452
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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BSC011N03LSIATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer BSC011N03LSIATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-BSC011N03LSIATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
BSC011N03LSIATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 37A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Paket / fall 8-PowerTDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC011N03LSIATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BSC011N03LSIATMA1-FT

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