Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSC014N04LSATMA1
Herstellerteilenummer | BSC014N04LSATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSC014N04LSATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC014N04LSATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 32A (Ta), 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SuperSO8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC014N04LSATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC014N04LSATMA1-FT |
IRF9410TRPBF
Infineon Technologies
IRL6342PBF
Infineon Technologies
SI4410DY
Infineon Technologies
SI4410DYPBF
Infineon Technologies
SI4410DYTRPBF
Infineon Technologies
SI4420DY
Infineon Technologies
SI4420DYPBF
Infineon Technologies
SI4420DYTR
Infineon Technologies
SI4435DYPBF
Infineon Technologies
SI4435DYTR
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel