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Herstellerteilenummer | BSC014N06NSATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSC014N06NSATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC014N06NSATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 30A (Ta), 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 120µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 156W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC014N06NSATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC014N06NSATMA1-FT |
IRL6342PBF
Infineon Technologies
SI4410DY
Infineon Technologies
SI4410DYPBF
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SI4410DYTRPBF
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SI4420DY
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SI4420DYPBF
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SI4435DYTR
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IRFH5300TR2PBF
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
Intel