Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSP126,115
Herstellerteilenummer | BSP126,115 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSP126,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BSP126,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 375mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 300mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SC-73 |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP126,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSP126,115-FT |
PHD110NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD14NQ20T,118
NXP USA Inc.
PHD16N03LT,118
NXP USA Inc.
PHD16N03T,118
NXP USA Inc.
PHD18NQ10T,118
NXP USA Inc.
PHD20N06T,118
Nexperia USA Inc.
PHD21N06LT,118
NXP USA Inc.
PHD22NQ20T,118
NXP USA Inc.
PHD23NQ10T,118
NXP USA Inc.
PHD3055E,118
NXP USA Inc.
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel