Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / PHD16N03T,118
Herstellerteilenummer | PHD16N03T,118 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-PHD16N03T,118 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchMOS™ |
PHD16N03T,118 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 32.6W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DPAK |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD16N03T,118 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PHD16N03T,118-FT |
BUK9E06-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E06-55B,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E15-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R9-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E2R3-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E2R8-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R2-40B,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel