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Diodes Incorporated DMN10H099SFG-13

MFG-Teilenummer
DMN10H099SFG-13
verfügbare Anzahl
84730 Stücke
Referenzpreis
USD 0.236944
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 100V 4.2A
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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DMN10H099SFG-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN10H099SFG-13
Zukünftige Teilenummer FT-DMN10H099SFG-13
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN10H099SFG-13 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 25.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1172pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 980mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Paket / fall 8-PowerWDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN10H099SFG-13 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN10H099SFG-13-FT

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