Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / EPC2007C
Herstellerteilenummer | EPC2007C |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EPC2007C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | eGaN® |
EPC2007C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.2mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | Die Outline (5-Solder Bar) |
Paket / fall | Die |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2007C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EPC2007C-FT |
FDMS2672
ON Semiconductor
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XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
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A42MX24-2PQ208I
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A42MX09-1VQ100
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10CL016YU256I7G
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EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
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10AX066K1F35E1SG
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