Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / DMN55D0UTQ-7
Herstellerteilenummer | DMN55D0UTQ-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMN55D0UTQ-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DMN55D0UTQ-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 160mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 100mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 200mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Paket / fall | SOT-523 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN55D0UTQ-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMN55D0UTQ-7-FT |
FQT4N20TF
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