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Diodes Incorporated DMT10H010SPS-13

Name: DMT10H010SPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H010SPS-13
Price: 0.47328 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (707 reviews)

MFG-Teilenummer: DMT10H010SPS-13

verfügbare Anzahl: 95710 Stücke

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMT10H010SPS-13.pdf

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DMT10H010SPS-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMT10H010SPS-13
Zukünftige Teilenummer	FT-DMT10H010SPS-13
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMT10H010SPS-13 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10.7A (Ta), 113A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	56.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4.468nF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.2W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerDI5060-8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT10H010SPS-13 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMT10H010SPS-13-FT

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