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Diodes Incorporated DMT10H015LFG-7
- MFG-Teilenummer
- DMT10H015LFG-7
- verfügbare Anzahl
- 97560 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.4176
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Diodes Incorporated
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 100V 10A
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- DMT10H015LFG-7.pdf
DMT10H015LFG-7 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | DMT10H015LFG-7 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-DMT10H015LFG-7 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| DMT10H015LFG-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta), 42A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1871pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 35W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Paket / fall | 8-PowerWDFN |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMT10H015LFG-7 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | DMT10H015LFG-7-FT |
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