Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTA015TMT2L
Herstellerteilenummer | DTA015TMT2L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DTA015TMT2L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTA015TMT2L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VMT3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA015TMT2L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTA015TMT2L-FT |
RN2312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2316(TE85L,F)
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RN2303(TE85L,F)
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RN1312(TE85L,F)
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RN1314(TE85L,F)
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RN1317(TE85L,F)
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RN1318(TE85L,F)
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RN2301,LF
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RN2306,LF
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XC2V500-5FGG256I
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5SGXEA3K3F40C2LN
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EP4S100G2F40I2
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10AX115S2F45I2SGES
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