Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTA023EMT2L
Herstellerteilenummer | DTA023EMT2L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DTA023EMT2L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTA023EMT2L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 20mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VMT3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA023EMT2L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTA023EMT2L-FT |
RN2316(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP3E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XCVU065-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20B672C6
Intel
5SGXEA9N2F45I2L
Intel
A40MX04-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation