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ON Semiconductor FCH190N65F-F085

Name: FCH190N65F-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCH190N65F-F085
Price: 3.866328 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (518 reviews)

MFG-Teilenummer: FCH190N65F-F085

verfügbare Anzahl: 28560 Stücke

Referenzpreis: USD 3.866328

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FCH190N65F-F085.pdf

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FCH190N65F-F085 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FCH190N65F-F085
Zukünftige Teilenummer	FT-FCH190N65F-F085
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
FCH190N65F-F085 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	20.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3181pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	208W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247
Paket / fall	TO-247-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH190N65F-F085 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FCH190N65F-F085-FT

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