Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDP13AN06A0
Herstellerteilenummer | FDP13AN06A0 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FDP13AN06A0 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDP13AN06A0 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10.9A (Ta), 62A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 62A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 115W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP13AN06A0 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDP13AN06A0-FT |
FDP083N15A-F102
ON Semiconductor
FQP85N06
ON Semiconductor
HUF75332P3
ON Semiconductor
FQP17N40
ON Semiconductor
FCP650N80Z
ON Semiconductor
FCP11N60N
ON Semiconductor
FDP5800
ON Semiconductor
HUF75345P3
ON Semiconductor
IRF530A
ON Semiconductor
FQP11P06
ON Semiconductor