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ON Semiconductor FDP4D5N10C

Name: FDP4D5N10C
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP4D5N10C
Price: 2.887504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (58 reviews)

MFG-Teilenummer: FDP4D5N10C

verfügbare Anzahl: 40330 Stücke

Referenzpreis: USD 2.887504

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: PowerTrench® FET ENGR DEV-NOT REL

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDP4D5N10C.pdf

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FDP4D5N10C Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDP4D5N10C
Zukünftige Teilenummer	FT-FDP4D5N10C
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	PowerTrench®
FDP4D5N10C Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	128A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 310µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5065pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.4W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220-3
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP4D5N10C Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDP4D5N10C-FT

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