Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJNS3208RBU
Herstellerteilenummer | FJNS3208RBU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FJNS3208RBU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJNS3208RBU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Supplier Device Package | TO-92S |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS3208RBU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJNS3208RBU-FT |
PDTC143XT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123YT,215
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PDTB113ZT,215
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PDTC123JT,235
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PDTC143ZT,235
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PDTC143TT,215
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PDTC124TT,215
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PDTC143ET,215
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PDTC144ET,215
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PDTD113ET,215
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