Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJNS3209RBU
Herstellerteilenummer | FJNS3209RBU |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FJNS3209RBU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJNS3209RBU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Supplier Device Package | TO-92S |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS3209RBU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJNS3209RBU-FT |
PDTD123YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC123JT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC143ZT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC143TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC124TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC143ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC144ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTD113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRN123ET,215
Nexperia USA Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
P1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40C3
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
XC7VX690T-3FFG1930E
Xilinx Inc.
A54SX32A-BG329M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508I4
Intel