Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJNS3210RBU
Herstellerteilenummer | FJNS3210RBU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FJNS3210RBU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJNS3210RBU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Supplier Device Package | TO-92S |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS3210RBU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJNS3210RBU-FT |
PDTB113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC123JT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC143ZT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC143TT,215
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PDTC124TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC143ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC144ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTD113ET,215
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PBRN123ET,215
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PBRP113ET,215
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