Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJV4113RMTF
Herstellerteilenummer | FJV4113RMTF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FJV4113RMTF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJV4113RMTF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJV4113RMTF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJV4113RMTF-FT |
BCR533E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR221M00L
Panasonic Electronic Components
FJV3114RMTF
ON Semiconductor
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR211V00L
Panasonic Electronic Components
BCR142E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR198E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR512E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR555E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3110RMTF
ON Semiconductor
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU025-2FFVA1156I
Xilinx Inc.
5SGXMA5K3F35C4N
Intel
LFXP2-17E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F40I1SG
Intel
5AGXFB3H4F35I3G
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EP3SL70F780C3N
Intel
5SGXMA3H3F35I3N
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