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Infineon Technologies IRFH6200TR2PBF

Name: IRFH6200TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH6200TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (114 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFH6200TR2PBF

verfügbare Anzahl: 55530 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFH6200TR2PBF.pdf

IRFH6200TR2PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFH6200TR2PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFH6200TR2PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFH6200TR2PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	49A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10890pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-PQFN (5x6)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH6200TR2PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFH6200TR2PBF-FT

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