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Infineon Technologies IPB120N06S4H1ATMA2

Name: IPB120N06S4H1ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB120N06S4H1ATMA2
Price: 1.264528 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (225 reviews)

MFG-Teilenummer: IPB120N06S4H1ATMA2

verfügbare Anzahl: 18520 Stücke

Referenzpreis: USD 1.264528

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPB120N06S4H1ATMA2.pdf

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IPB120N06S4H1ATMA2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPB120N06S4H1ATMA2
Zukünftige Teilenummer	FT-IPB120N06S4H1ATMA2
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPB120N06S4H1ATMA2 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	21900pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB120N06S4H1ATMA2 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPB120N06S4H1ATMA2-FT

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