Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPI50R199CPXKSA1
Herstellerteilenummer | IPI50R199CPXKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPI50R199CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPI50R199CPXKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 17A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 139W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI50R199CPXKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPI50R199CPXKSA1-FT |
BSB044N08NN3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB053N03LP G
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BSB104N08NP3GXUSA1
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BSB165N15NZ3GXUMA1
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BSB280N15NZ3GXUMA1
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BSF024N03LT3GXUMA1
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BSF030NE2LQXUMA1
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BSF035NE2LQXUMA1
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BSF045N03MQ3 G
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BSF050N03LQ3GXUMA1
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