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Infineon Technologies IPP037N08N3GE8181XKSA1

Name: IPP037N08N3GE8181XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP037N08N3GE8181XKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (330 reviews)

MFG-Teilenummer: IPP037N08N3GE8181XKSA1

verfügbare Anzahl: 46270 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPP037N08N3GE8181XKSA1.pdf

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IPP037N08N3GE8181XKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPP037N08N3GE8181XKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPP037N08N3GE8181XKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.75 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 155µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	117nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8110pF @ 40V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPP037N08N3GE8181XKSA1-FT

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