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Infineon Technologies IPP80N06S2L09AKSA2

Name: IPP80N06S2L09AKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP80N06S2L09AKSA2
Price: 0.748896 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (737 reviews)

MFG-Teilenummer: IPP80N06S2L09AKSA2

verfügbare Anzahl: 25390 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPP80N06S2L09AKSA2.pdf

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IPP80N06S2L09AKSA2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPP80N06S2L09AKSA2
Zukünftige Teilenummer	FT-IPP80N06S2L09AKSA2
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPP80N06S2L09AKSA2 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 125µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2620pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	190W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP80N06S2L09AKSA2 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPP80N06S2L09AKSA2-FT

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