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Infineon Technologies IRF6785MTR1PBF

MFG-Teilenummer
IRF6785MTR1PBF
verfügbare Anzahl
64180 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRF6785MTR1PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRF6785MTR1PBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRF6785MTR1PBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRF6785MTR1PBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package DIRECTFET™ MZ
Paket / fall DirectFET™ Isometric MZ
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6785MTR1PBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRF6785MTR1PBF-FT

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