Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF7210PBF
Herstellerteilenummer | IRF7210PBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF7210PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF7210PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 16A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 500µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 212nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 17179pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7210PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF7210PBF-FT |
IRF8252TRPBF-1
Infineon Technologies
IRL80HS120
Infineon Technologies
IRL60HS118
Infineon Technologies
BSZ100N06LS3GATMA1
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BSZ110N06NS3GATMA1
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BSZ067N06LS3GATMA1
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BSZ123N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
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