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Herstellerteilenummer | IRF7663TRPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF7663TRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF7663TRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2520pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | Micro8™ |
Paket / fall | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7663TRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF7663TRPBF-FT |
SPB73N03S2L-08 G
Infineon Technologies
SPB73N03S2L08T
Infineon Technologies
SPB77N06S2-12
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SPB80N03S2-03
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SPB80N03S203GATMA1
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SPB80N03S2L-03
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SPB80N03S2L-03 G
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SPB80N03S2L-04
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SPB80N03S2L-04 G
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SPB80N03S2L-05
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