Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRFHM8326TRPBF
Herstellerteilenummer | IRFHM8326TRPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFHM8326TRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFHM8326TRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 19A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 50µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2496pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 37W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | - |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM8326TRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFHM8326TRPBF-FT |
BSC159N10LSFGATMA1
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BSC190N12NS3GATMA1
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LFXP2-5E-7M132C
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