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Infineon Technologies IRFHM8326TRPBF

Name: IRFHM8326TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8326TRPBF
Price: 0.216032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (91 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFHM8326TRPBF

verfügbare Anzahl: 83410 Stücke

Referenzpreis: USD 0.216032

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 25A PQFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFHM8326TRPBF.pdf

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IRFHM8326TRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFHM8326TRPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFHM8326TRPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFHM8326TRPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	19A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2496pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.8W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	-
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8326TRPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFHM8326TRPBF-FT

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