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Infineon Technologies IRFHM8329TRPBF

Name: IRFHM8329TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8329TRPBF
Price: 0.23748 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (331 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFHM8329TRPBF

verfügbare Anzahl: 30650 Stücke

Referenzpreis: USD 0.23748

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 16A PQFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFHM8329TRPBF.pdf

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IRFHM8329TRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFHM8329TRPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFHM8329TRPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFHM8329TRPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	16A (Ta), 57A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1710pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.6W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PQFN (3x3)
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8329TRPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFHM8329TRPBF-FT

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