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Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF

Name: IRFHM8363TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8363TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (42 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFHM8363TR2PBF

verfügbare Anzahl: 68230 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFHM8363TR2PBF.pdf

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IRFHM8363TR2PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFHM8363TR2PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFHM8363TR2PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFHM8363TR2PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1165pF @ 10V
Leistung max	2.7W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-PowerVDFN
Supplier Device Package	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8363TR2PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFHM8363TR2PBF-FT

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