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Infineon Technologies IRFSL3607PBF

Name: IRFSL3607PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL3607PBF
Price: 1.4 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (96 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFSL3607PBF

verfügbare Anzahl: 97910 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 75V 80A TO-262

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFSL3607PBF.pdf

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IRFSL3607PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFSL3607PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFSL3607PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFSL3607PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3070pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	140W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-262
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL3607PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFSL3607PBF-FT

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