Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRFU3910
Herstellerteilenummer | IRFU3910 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFU3910 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFU3910 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 79W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU3910 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFU3910-FT |
IPN50R650CEATMA1
Infineon Technologies
IPN50R950CEATMA1
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IPN60R1K0CEATMA1
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IPN60R1K5CEATMA1
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M2GL025T-1VFG256I
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EPF10K10ATC100-1
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