Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRFU5410
Herstellerteilenummer | IRFU5410 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFU5410 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFU5410 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 66W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU5410 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFU5410-FT |
IPN70R360P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R450P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R900P7SATMA1
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IPN80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel