Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / M93C76-RMN3TP/K
Herstellerteilenummer | M93C76-RMN3TP/K |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-M93C76-RMN3TP/K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
M93C76-RMN3TP/K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | EEPROM |
Technologie | EEPROM |
Speichergröße | 4Kb (512 x 8, 256 x 16) |
Taktfrequenz | 2MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 5ms |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | SPI |
Spannungsversorgung | 1.8V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M93C76-RMN3TP/K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | M93C76-RMN3TP/K-FT |
TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.