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Herstellerteilenummer | MT49H32M18CSJ-18:B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT49H32M18CSJ-18:B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT49H32M18CSJ-18:B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | DRAM |
Speichergröße | 576Mb (32M x 18) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 15ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 144-TFBGA |
Supplier Device Package | 144-FBGA (18.5x11) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18CSJ-18:B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT49H32M18CSJ-18:B-FT |
MT47H256M4HQ-187E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M4HQ-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M4HQ-5E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-5E:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-5E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-37E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-3:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel