Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / MUN5216DW1T1
Herstellerteilenummer | MUN5216DW1T1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUN5216DW1T1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN5216DW1T1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5216DW1T1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN5216DW1T1-FT |
MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5131DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5115DW1T1G
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EP20K200EFC672-1
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10M40DAF672I7G
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XC6VLX240T-1FF784C
Xilinx Inc.