Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NP0G3D200A
Herstellerteilenummer | NP0G3D200A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NP0G3D200A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NP0G3D200A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms, 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms, 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz, 80MHz |
Leistung max | 125mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-963 |
Supplier Device Package | SSSMini6-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP0G3D200A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NP0G3D200A-FT |
EMH3T2R
Rohm Semiconductor
EMH4T2R
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EMD30T2R
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EP20K30ETC144-3N
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XC3S1500-5FG320C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
10M40DCF256I7G
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EP4CE22F17C9LN
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5SGSMD5H3F35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C6N
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