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Renesas Electronics America RJK6011DJE-00#Z0
- MFG-Teilenummer
- RJK6011DJE-00#Z0
- verfügbare Anzahl
- 19850 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Renesas Electronics America
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- RJK6011DJE-00#Z0.pdf
RJK6011DJE-00#Z0 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | RJK6011DJE-00#Z0 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-RJK6011DJE-00#Z0 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| RJK6011DJE-00#Z0 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Last Time Buy |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 Ohm @ 50mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 900mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-92(1) |
| Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RJK6011DJE-00#Z0 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | RJK6011DJE-00#Z0-FT |
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