Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN2707JE(TE85L,F)
Herstellerteilenummer | RN2707JE(TE85L,F) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN2707JE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN2707JE(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-553 |
Supplier Device Package | ESV |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2707JE(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN2707JE(TE85L,F)-FT |
IMH5AT108
Rohm Semiconductor
IMH6AT108
Rohm Semiconductor
NUS2401SNT1
ON Semiconductor
PBLS4001D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS4002D,115
Nexperia USA Inc.
PIMC31F
Nexperia USA Inc.
PIMD3F
Nexperia USA Inc.
RN1963(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1965(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1968(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage