Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN2710JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage RN2710JE(TE85L,F)
- MFG-Teilenummer
- RN2710JE(TE85L,F)
- verfügbare Anzahl
- 23500 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.07056
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- RN2710JE(TE85L,F).pdf
RN2710JE(TE85L,F) Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | RN2710JE(TE85L,F) |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-RN2710JE(TE85L,F) |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| RN2710JE(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Leistung max | 100mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | SOT-553 |
| Supplier Device Package | ESV |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RN2710JE(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | RN2710JE(TE85L,F)-FT |
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