Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI1072X-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SI1072X-T1-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI1072X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI1072X-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 93 mOhm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 236mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SC-89-6 |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1072X-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI1072X-T1-GE3-FT |
SIE874DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE876DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE878DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE882DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5459DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5418DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5410DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5411EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5415EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5442DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.