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Herstellerteilenummer | SI5424DC-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI5424DC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI5424DC-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 4.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
Paket / fall | 8-SMD, Flat Lead |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5424DC-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI5424DC-T1-E3-FT |
SIS415DNT-T1-GE3
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SIS444DN-T1-GE3
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Xilinx Inc.
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
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10AX066H1F34I1SG
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