Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIHG22N60AEL-GE3

Vishay Siliconix SIHG22N60AEL-GE3

Name: SIHG22N60AEL-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG22N60AEL-GE3
Price: 4.072 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (787 reviews)

MFG-Teilenummer: SIHG22N60AEL-GE3

verfügbare Anzahl: 62050 Stücke

Referenzpreis: USD 4.072

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: EL MOSFET N-CHAN 600V

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIHG22N60AEL-GE3.pdf

SIHG22N60AEL-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIHG22N60AEL-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIHG22N60AEL-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	EL
SIHG22N60AEL-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1757pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	208W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247AC
Paket / fall	TO-247-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHG22N60AEL-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIHG22N60AEL-GE3-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns