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Herstellerteilenummer | SIR474DP-T1-RE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIR474DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIR474DP-T1-RE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 985pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 29.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Paket / fall | PowerPAK® SO-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR474DP-T1-RE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIR474DP-T1-RE3-FT |
DMTH8012LPSW-13
Diodes Incorporated
FDP2D3N10C
ON Semiconductor
SCTH90N65G2V-7
STMicroelectronics
SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
GA50JT06-258
GeneSiC Semiconductor
NVATS5A304PLZT4G
ON Semiconductor
NVB082N65S3F
ON Semiconductor
NVBLS0D5N04M8TXG
ON Semiconductor
DMN2080UCB4-7
Diodes Incorporated
2SJ649-AZ
Renesas Electronics America
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel