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Herstellerteilenummer | SIZ910DT-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIZ910DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIZ910DT-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 40A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
Leistung max | 48W, 100W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-PowerWDFN |
Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZ910DT-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIZ910DT-T1-GE3-FT |
SI5920DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5933CDC-T1-E3
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XC2S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel