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Vishay Siliconix SIZ916DT-T1-GE3
- MFG-Teilenummer
- SIZ916DT-T1-GE3
- verfügbare Anzahl
- 68540 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Vishay Siliconix
- Kurze Beschreibung
- TrenchFET® MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SIZ916DT-T1-GE3.pdf
SIZ916DT-T1-GE3 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SIZ916DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SIZ916DT-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | TrenchFET® |
| SIZ916DT-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A, 40A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1208pF @ 15V |
| Leistung max | 22.7W, 100W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 8-PowerWDFN |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIZ916DT-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SIZ916DT-T1-GE3-FT |
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