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Herstellerteilenummer | SMCG11AHE3/9AT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SMCG11AHE3/9AT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCG11AHE3/9AT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 11V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 12.2V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 18.2V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 82.4A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Supplier Device Package | DO-215AB (SMCG) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG11AHE3/9AT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SMCG11AHE3/9AT-FT |
SM8S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S22-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S22A-1HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S200-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
MPF500T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
EP1K100FC256-3N
Intel
A54SX16A-2TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600CB652C8
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel